美女一区二区三区网av_1区2区视频_又色又爽视频_国产94在线 | 亚洲_综合狠狠开心_亚洲熟妇av一区_成人做爰视频www网站小优视频_亚洲最大av资源网在线观看_男人j桶进女人p无遮挡免费观看_99精品免费在线视频_日本99热_国产无人区卡一卡二卡三乱码99_18禁网站免费无遮挡无码中文_亚洲中文字幕无码永久_91久久久精品_少妇又色又紧又爽又刺激视频_最新国产精品亚洲_交换做爰国语对白_国产黄色激情视频_337p日本大胆噜噜噜鲁

    碳化硅(SiC)功率半導體的應用從電動汽車到太陽能PV都在加速，但是這種材料來自哪里？它究竟有什么特別？為什么碳化硅在一個多世紀前被用作無線電探測器的基礎，而半導體工業卻需要如此長的時間呢？

    20世紀初，實驗人員發現鍺等多種物質的晶體可以產生“不對稱電流通過”或整流效應，這種現象被應用到晶體無線電中。在嘗試使用碳化硅時，會產生不正常的現象。晶體發出黃光，有時會發出綠色、橙色及藍色。晶體管在40年前便被發現。

    盡管SiC作為LED很快被砷化鎵和氮化鎵取代，其發光效率提高了10-100倍，但作為一種材料，它仍然引起電子領域的關注。它的導熱率是硅的3.5倍，在保持高電場擊穿的情況下，重摻雜可以獲得更高的電導率。從機械上看，它非常堅硬，不活潑，熱膨脹系數極低，額定溫度也很高。SiC不熔合-在2700℃左右升華。

    在早期，碳化硅被認為是理想的半導體器件，那么碳化硅的發展與硅的發展又有哪些障礙？消除了SiC晶體存在的主要缺陷：邊位錯、各種類型的螺釘錯位、三角缺陷和基面位錯。晶體越小，其反阻性就越差，使這些元件基本不能使用。

    還存在使用SiC和SiO2連接來制造流行的MOSFET和IGBT器件的問題。然而，隨著技術的發展，質量不斷提高，6英寸晶圓片可以提供可以接受的質量，而突破(又稱氮化法或氧化氮退火)可以使SiC穩定地生長在SiC。

    更多關于碳化硅資訊，請瀏覽http://www.js0193.cn/進行了解咨詢。